|
Речь идет о структуре, которая называется молибденит (формула MoS2), последние исследования полупроводниковых свойств которого показали, что если использовать весь его потенциал в микроэлектронике , то он легко превзойдет все существующие материалы, сообщает DailyTechInfo. К такому выводу пришли швейцарские специалисты из Федеральной политехнической школы в Лозанне. Они выяснили, что самым главным преимуществом молибденита по сравнению с кремнием является толщина молекулярного листа этого материала. Лист молибденита состоит из слоя атомов молибдена, окруженного с двух сторон слоями атомов серы.
"Такая тончайшая структура материала делает его очень перспективным и удобным для использования в областях электроники и нанотехнологий. У молибденита есть огромный потенциал для того, что бы на его основе можно было изготовить очень маленькие и эффективные транзисторы, светодиоды и панели солнечных батарей" - рассказал профессор Андраш Кис . - "Лист молибденита, толщиной всего лишь 0,65 нм, может пропустить сквозь себя такой же поток электронов, как и кремний, толщиной 2 нанометра. Но современные технологии не позволяют получить листы из кремния толщиной 2 нанометра".
Помимо этого, электронам для преодоления потенциального барьера полупроводника из молибденита требуется энергия всего в 1,8 электронвольт. Поэтому при включении и выключении такие транзисторы будут рассеивать в 100 тысяч раз меньше энергии, чем их кремниевые аналоги.
И даже свойства графена, одного из самых перспективноых с точки зрения многих ученых материала, меркнут перед свойствами молибденита. Как известно, в полупроводниках существует так называемая запрещенная зона, благодаря наличию которой эти материалы и обладают полупроводниковыми качествами. Молибденит так же имеет запрещенную зону, при этом с небольшим энергетическим потенциалом, что дает ему явное преимущество перед графеном, который не имеет запрещенной зоны и ее искусственное создание является достаточно сложной проблемой.