Motorola предлагает "вечную" память

        Энергонезависимая (флэш-) память совершенствуется по мере стремления людей изобрести более простые и удобные способы сохранения и передачи информации. В ближайшее время фирма Motorola планирует внести свой вклад в "эволюцию" флеш-устройств, и сделать их более быстродействующими и дешевыми, чем прежде.
        Новая память Motorola использует один и тот же канал и для стирания информации в ячейке, и для ее записи. Исследователи из Motorola обнаружили, что использование инжекции "горячей" дырки для стирания информации, ведет к снижению надежности. Дело в том, что когда инжектированные дырки не полностью вытесняют хранимые электроны, то происходит накопление остаточного заряда, который может привести к порче информации. Поэтому для стирания данных используется туннелирование электрона из ячейки, которое раннее почти не применялось. Запись информации производится инжекцией горячего электрона.
        Для записи и стирания информации в Sonos достаточно 6В, в то время как для работы со старой памятью (с "плавающими воротами" транзистора) нужно целых 10В.
        Motorola позиционирует Sonos как дополнение к MRAM: если необходима очень высокая скорость работы – можно использовать MRAM, а если нет – Sonos. Компания планирует выпустить образцы MRAM, выполненные по 180-нм техпроцессу, к концу 2003 г. и затем совместно с Philips и STMicroelectronics разработать 90-нм память MRAM. К началу 2004 г. Motorola планирует начать производство 90-нанометровой памяти Sonos и постепенно заменить ей традиционную флэш-память.