Samsung выпустила миниатюрный чип памяти

        Южнокорейская компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства микросхем памяти DDR2 DRAM eмкостью в 1 Гбит с использованием 80-нанометровой технологии.
        В настоящее время на рынке уже присутствуют чипы памяти DDR2 eмкостью в 1 Гбит. Однако выпускаются они с использованием 90-нанометрового техпроцесса. Переход на более современную 80-нанометровую технологию, по заявления Samsung, позволил снизить себестоимость изготовления микросхем и уменьшить их габариты. Так, новый чип памяти имеет размеры 11 x 11,5 мм, что примерно на 36% меньше размеров микросхем, выполненных по 90-нанометровой технологии (11 х 18 миллиметров).
        Большая часть производимых в настоящее время чипов DRAM eмкостью в 1 Гбит используется в серверных модулях памяти объeмом 4 Гб с полной буферизацией и модулях SODIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) объeмом 2 Гб.
        Согласно оценкам специалистов аналитической фирмы Gartner, в текущем году рынок памяти DRAM достигнет объeма $28,7 миллиардa. В следующем году данный показатель, предположительно, вырастет до отметки в $32,2 млрд, а к 2008 г. вплотную приблизится к $38 миллиардам. На долю микросхем памяти eмкостью 1 Гб в настоящее время приходится около восьми процентов от всего объeма чипов DRAM. Однако к 2008 г., по прогнозам Gartner, доля таких микрочипов увеличится до 36%, то есть, в четыре с половиной раза.