Intel создала самую маленькую ячейку памяти SRAM

        Исследователям из корпорации Intel удалось создать самую маленькую в мире ячейку памяти стандарта SRAM (Static Random Access Memory, или статическое запоминающее устройство с произвольной выборкой), площадь которой составляет всего 1 кв. микрон (мкм2). Эта ячейка - структурная компонента микросхемы памяти - является частью полнофункциональной микросхемы памяти SRAM, произведенной по разработанной Intel 90-нанометровой технологии. Факт создания подобной микросхемы подтверждает приверженность корпорации планам по массовому внедрению новой производственной технологии в 2003 году.
        Корпорация Intel намерена внедрить 90-нанометровую технологию в массовое производство в течение следующего года, тем самым в очередной раз на практике подтвердив действующий уже 12 лет закон о переходе на технологию производства нового поколения каждые два года. По новой технологии корпорация будет производить большинство своей продукции, в том числе процессоры, чипсеты и коммуникационное оборудование. Продукция по данной технологии будет производиться исключительно на 300-миллиметровых подложках.
        Исследователи корпорации Intel создали 52-мегабитные микросхемы - самые емкие из когда-либо созданных микросхем памяти стандарта SRAM, в каждой из которых содержится по 330 млн транзисторов, при этом площадь микросхемы составляет всего 109 кв.мм (меньше, чем у десятицентовой монеты).
        Новые 52-мегабитные микросхемы памяти стандарта SRAM были созданы на экспериментальной фабрике Intel под названием D1C в Хиллсборо, штат Орегон, где налажен выпуск продукции на 300-миллиметровых подложках с использованием комбинации передовых литографических инструментов толщиной 193 и 248 миллимикрон.