Корейцы разработали самую быструю в мире память

        Samsung Electronics анонсировала разработку самой быстрой в мире памяти DDR3 SRAM. 72-мегабайтные чипы обладают пропускной способностью в 1,5 Гбит/сек. Предназначается новая память для серверов и рабочих станций следующего поколения.
        Последней разработкой компании в этой области были чипы памяти DDR II с временем доступа 0,45-0,50 наносекунд и напряжением питания в 1,8 В. Выполненная по 90-нанометровому технологическому процессу память DDR3 потребляет всего лишь 1,2 В питания. Ячейки размером менее одной миллионной квадратного метра были получены с помощью фтор-криптонового лазера. Подробности технологии будут освещены на выставке International Solid-State Circuits Conference (Международная конференция по твердотельным полупроводникам), которая пройдет с 9 по 13 февраля в Сан-Франциско, в штате Калифорния.
        Кроме этого, на выставке специалисты Samsung Electronics представят двухгигабайтный модуль NAND Flash, сверхскоростной модуль памяти DDR II на 512 Мб и расскажут о применении 90-нанометрового технологического процесса и о разработке памяти SDRAM с низким энергопотреблением.
        Серийное производство 72-мегабайтных модулей DDR3 начнется во второй половине 2003 года. Пока существует только опытный образец объемом 32 Мб.