Samsung разработала более быструю и дешевую RDRAM

        Компания Samsung Electronics сообщила 27 сентября об окончании разработки более быстрой и емкой, и дешевой памяти RDRAM.
        Более быстрые новые чипы нацелены, в первую очередь, на высокопроизводительные настольные системы на базе процессора Intel P4 с частотой системной шины 533 МГц, которые появятся на рынке в 2002 г., а также на высокоуровневые рабочие станции и сервера.
        Новые модули памяти производятся по более дешевой технологии, что должно, по мнению специалистов Samsung, уменьшить критику в адрес Rambus-технологии - по крайней мере, за ее стоимости. В настоящее время ПК с RDRAM стоят на $100 дороже своих SDRAM-аналогов.
        Начало выпуска новой памяти назначено на II кв. следующего года. Новая технология позволяет увеличить объем памяти до 567 Мбит на модуль при тактовой частоте 1066 МГц, в то время как сейчас эти показатели доходят максимум до 256 Мбит и 800 МГц. Микросхемы памяти будут упакованы во встроенные модули RDRAM (RIMM) с объемом 1 Гб и более.
        По словам представителей Samsung, новые RDRAM обрабатывают данные в четыре раза быстрее, чем самая быстрая стандартная SDRAM. Однако, несмотря на скоростное преимущество, этот тип памяти не получил до сих пор большого распространения из-за производственных задержек и высокой цены. В результате модулями RDRAM были оснащены только высокопроизводительные варианты P4.
        Сейчас компания планирует уменьшить стоимость этой памяти за счет использования более прогрессивной 0,12-микронной технологии производства. В следующие четыре года целью компании является увеличение тактовой частоты RDRAM до 1,2 ГГц при увеличении производительности до 9,6 Гбит.