Cолнечные батареи станут эффективнее

        В Национальной лаборатории Лоренса Беркли (Lawrence Berkeley National Laboratory) создан новый полупроводник, который, вероятно, позволит значительно увеличить КПД солнечных батарей.
        Нынешние солнечные батареи, преобразующие энергию фотонов в электричество, обычно обладают коэффициентом не более 30%. Дело в том, что каждый полупроводниковый материал способен абсорбировать энергию фотонов только в строго определённом диапазоне.
        Теоретики подсчитали, что солнечная батарея, составленная из двух полупроводниковых материалов, может иметь КПД до 50%, однако в реальности этого добиться не удавалось никогда.
        Теперь же в Лаборатории Лоренса Беркли создан материал, который, вероятно, позволит достичь 50-процентного коэффициента полезного действия — нитрид галлия-индия (indium gallium nitride — InGaN).
        Варьируя соотношение индия и галлия в различных слоях, сотрудникам Лаборатории Беркли удалось "настроить" фотоэлемент так, что он преобразовывал в электроэнергию 50% солнечного излучения.
        Главная проблема сейчас — это дороговизна и сложность применяемого метода выращивания кристаллов InGaN. Сотрудники Лаборатории Беркли надеются, совместно с колорадской Национальной лабораторией возобновляемых источников энергии, найти более дешёвый способ создания материала и солнечных батарей из него.