В Гонконге создана память на основе углеродных нанотрубок

        Исследователи из гонконгского Политехнического университета разработали прототип модуля памяти на основе углеродных нанотрубок. Не исключено, что в перспективе подобные устройства станут альтернативой традиционной флэш-памяти.
        Энергонезависимая флэш-память в настоящее время широко применяется в различных портативных устройствах, в частности, карманных плеерах, цифровых фотокамерах, мобильных телефонах и пр. На сегодняшний день можно выделить два основных типа флэш-памяти - NOR и NAND. При этом в обоих типах в качестве элементарных ячеек хранения информации используются полевые двухзатворные МОП-транзисторы (транзисторы с плавающим затвором). Флэш-память может изготавливаться по технологии одноуровневых (Single-Level-Cell, SLC) или многоуровневых (Multi-Level-Cell, MLC) ячеек. Во втором случае в каждой ячейки хранится более одного бита данных.
        Методика, предложенная гонконгскими учеными, основана на том, что в качестве ячеек хранения информации используются углеродные нанотрубки. Как сообщает PhysOrg, в ходе экспериментов исследователи помещали нанотрубки в состав на основе гафния, алюминия и кислорода. В качестве подложки использовался кремний. Впрочем, пока новая технология еще нуждается в доработке. Исследователям еще предстоит улучшить некоторые показатели, в частности, характеристики хранения заряда.
        Попытки создания памяти на основе нанотрубок предпринимались и ранее. Однако образцы таких устройств работают, как правило, только при очень низких температурах, что делает их непригодными для практического применения. Методика гонконгских ученых позволяет использовать память на нанотрубках при комнатной температуре.